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GaN FET在人形機(jī)器人中的應(yīng)用

機(jī)器人 GaN FET 人形機(jī)器人 |2025-04-29
臺(tái)積電推1.4nm 技術(shù)：第2代GAA晶體管，全節(jié)點(diǎn)優(yōu)勢(shì)2028年推出

EDA/PCB 臺(tái)積電 1.4nm GAA 晶體管 |2025-04-24
日本半導(dǎo)體巨頭Rapidus加速推進(jìn)2nm工藝預(yù)計(jì)2027年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)

EDA/PCB 日本半導(dǎo)體 Rapidus 2nm工藝量產(chǎn) BSPDN GAA |2025-04-08
SiC 市場(chǎng)的下一個(gè)爆點(diǎn)：共源共柵（cascode）結(jié)構(gòu)詳解

電源與新能源 cascode FET SiC |2025-03-26
Nexperia擴(kuò)展GaN FET產(chǎn)品組合，現(xiàn)可支持更多低壓和高壓應(yīng)用中的功率需求

電源與新能源 Nexperia GaN FET |2025-03-19
緩沖反激式轉(zhuǎn)換器

電源與新能源 FET 反激式轉(zhuǎn)換器 |2024-12-10
用Python自動(dòng)化雙脈沖測(cè)試

測(cè)試測(cè)量 202411 寬禁帶 FET 測(cè)試 |2024-10-18
拆解：三星Galaxy Watch 7中的Exynos W1000處理器3nm GAA工藝

消費(fèi)電子三星 Galaxy Watch 7 Exynos W1000 處理器 3nm GAA |2024-07-19
碳化硅模塊在太陽(yáng)能逆變器中的應(yīng)用

電源與新能源 202407 太陽(yáng)能 PV SiC FET 寬帶隙碳化硅光伏 |2024-07-15
拜登政府恐對(duì)中國(guó)大陸封鎖最強(qiáng)GAA技術(shù)

EDA/PCB GAA 臺(tái)積電三星 |2024-06-13
GaN FET讓您實(shí)現(xiàn)高性能D類音頻放大器

模擬技術(shù) GaN FET D類音頻放大器 |2024-04-10
測(cè)試共源共柵氮化鎵 FET

元件/連接器氮化鎵 FET |2024-04-09
EPC推出首款具有最低1mΩ導(dǎo)通電阻的GaN FET

電源與新能源 EPC 1mΩ 導(dǎo)通電阻 GaN FET |2024-03-05
適用于自主駕駛車輛LiDAR的GaN FET快速指南

智能計(jì)算自主駕駛 LiDAR GaN FET |2024-02-27
三星Exynos 2500芯片試產(chǎn)失?。?nm GAA工藝仍存缺陷

三星 Exynos 芯片 3nm GAA |2024-02-07
消息稱三星 3nm GAA 工藝試產(chǎn)失敗，Exynos 2500 芯片被打上問號(hào)

EDA/PCB 三星 3nm GAA Exynos 2500 芯片 |2024-02-02
Qorvo? 推出D2PAK 封裝 SiC FET，提升 750V 電動(dòng)汽車設(shè)計(jì)性能

電源與新能源 Qorvo SiC FET 電動(dòng)汽車 |2024-01-30
臺(tái)積電2nm制程進(jìn)展順利晶圓廠最快4月進(jìn)機(jī)

臺(tái)積電 2nm 制程晶圓廠 GAA |2024-01-18
EPC GaN FET可在數(shù)納秒內(nèi)驅(qū)動(dòng)激光二極管，實(shí)現(xiàn)75~231A脈沖電流

元件/連接器 EPC GaN FET 激光二極管 |2024-01-18
臺(tái)積電2納米驚爆大弱點(diǎn)？三星搶訂單

EDA/PCB 臺(tái)積電 2納米三星 GAA |2023-12-18
日立高新技術(shù)公司部宣布推出其GT2000高精度電子束測(cè)量系統(tǒng)

測(cè)試測(cè)量日立高新測(cè)試測(cè)量 GAA CFET |2023-12-13
Nexperia針對(duì)工業(yè)和可再生能源應(yīng)用推出采用緊湊型SMD封裝CCPAK的GaN FET

電源與新能源 Nexperia SMD CCPAK GaN FET |2023-12-11
FET 生物傳感器的直流I-V 特性研究

物聯(lián)網(wǎng)與傳感器泰克科技 FET 生物傳感器 |2023-11-21
EPC新推100 V GaN FET助力實(shí)現(xiàn)更小的電機(jī)驅(qū)動(dòng)器,用于電動(dòng)自行車、機(jī)器人和無(wú)人機(jī)

工控自動(dòng)化 EPC GaN FET 電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 |2023-11-08
GAA技術(shù)才開始，半導(dǎo)體大廠已著手研發(fā)下一代CFET技術(shù)

EDA/PCB GAA CFET |2023-10-07
更小、更快、更節(jié)能，半導(dǎo)體芯片迎大突破

EDA/PCB 半導(dǎo)體芯片 FE-FET |2023-07-17
三星向外界公布 GAA MBCFET 技術(shù)最新進(jìn)展

EDA/PCB 三星 GAA MBCFET |2023-06-27
Transphorm推出SuperGaN FET低成本驅(qū)動(dòng)器方案

電源與新能源 Transphorm SuperGaN FET 驅(qū)動(dòng)器 |2023-06-16
使用開爾文連接提高 SiC FET 的開關(guān)效率

電源與新能源 Qorvo 開爾文 FET |2023-05-31
EPC新推基于GaN FET的150 ARMS電機(jī)驅(qū)動(dòng)器參考設(shè)計(jì)

電源與新能源 EPC GaN FET ARMS 電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 |2023-05-11
Nexperia推出支持低壓和高壓應(yīng)用的E-mode GAN FET

電源與新能源 Nexperia E-mode GAN FET |2023-05-10
柵極長(zhǎng)度縮放超出硅的 FET 對(duì)短溝道效應(yīng)具有魯棒性

元件/連接器柵極 FET |2023-04-10
連接與電源：新Qorvo為行業(yè)提供更全面的解決方案

手機(jī)與無(wú)線通信 Qorvo Matter SiC FET UWB |2023-03-28
三星電子：目標(biāo)到 2027 年將芯片代工廠產(chǎn)能提高三倍以上

EDA/PCB 三星 GAA 技術(shù) |2022-10-21
貿(mào)澤開售采用D2PAK-7L 封裝的工業(yè)用 UnitedSiC 750V UJ4C/SC SiC FET

電源與新能源貿(mào)澤 D2PAK-7L UnitedSiC SiC FET |2022-09-23
UnitedSiC（現(xiàn)已被 Qorvo收購(gòu)）為功率設(shè)計(jì)擴(kuò)展高性能且高效的750V SiC FET產(chǎn)品組合

電源與新能源 UnitedSiC Qorvo 750V SiC FET |2022-08-04
UnitedSiC（現(xiàn)為 Qorvo）針對(duì)電源設(shè)計(jì)擴(kuò)展更高性能和效率的750V SiC FET 產(chǎn)品組合

電源與新能源 UnitedSiC Qorvo 電源 SiC FET |2022-07-27
GaN是否具有可靠性？或者說我們能否如此提問？

電源與新能源 GaN FET 電源可靠性 |2022-07-15
三星公布3納米GAA架構(gòu)制程技術(shù)芯片開始生產(chǎn)

EDA/PCB 三星 3納米 GAA |2022-06-30
貿(mào)澤備貨UnitedSiC UF4C/SC 1200V第四代SiC FET，為各類電源應(yīng)用提供更好的支持

電源與新能源 SiC FET |2022-06-09

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